世界先进宣布0.35微米650 V氮化镓制程进入量产
网友投稿• 2022-11-22 15:53:35 •阅读35
台湾《经济日报》11月22日消息，世界先进今日宣布，其领先的八英寸0.35微米650 V的新基底高电压氮化镓制程(GaN-on-QST)已于客户端完成首批产品系统及可靠性验证，正式进入量产，为特殊集成电路制造服务领域首家量产此技术的公司。世界先进说明，公司的0.35微米650 V GaN-on-QST制程能与公司既有的八英寸硅晶圆机台设备在开发与生产上相互配合使用，以达最佳生产效率及良率。
（文章来源：界面新闻）
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