通富微电:在国内首家完成基于TSV技术的3DS DRAM封装开发
网友投稿• 2022-12-21 11:26:05 •阅读25
通富微电12月21日在互动平台表示,在存储器领域,公司多层堆叠NAND Flash及LPDDR封装实现稳定量产,同时在国内首家完成基于TSV技术的3DS DRAM封装开发,助推公司进阶成为更有竞争力的存储器封装企业。
(文章来源:界面新闻)
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通富微电12月21日在互动平台表示,在存储器领域,公司多层堆叠NAND Flash及LPDDR封装实现稳定量产,同时在国内首家完成基于TSV技术的3DS DRAM封装开发,助推公司进阶成为更有竞争力的存储器封装企业。
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